シリカなどの無機フィラーとエポキシ樹脂と硬化剤等を混錬、均一分散させたコンパウンド製品です。

約175℃、60秒です。お客様のご使用条件によりカスタマイズ化も可能です。

パワー半導体用に、高耐熱性、高ガラス転移点性を有する品番を取り揃えております。

フィラーの材質をアルミナに変更したり、またその表面状態を修飾したりすることで、高熱伝導性と流動性を兼ね備えた品番を取り揃えております。

アプリケーションプロセッサーなどの薄型半導体パッケージ向けに、反りを制御した各種品番を取り揃えております。

トランスファー成型です。

約10MPａです。お客様のご使用条件によりカスタマイズ化も可能です

弊社では圧縮成型対応として、保存性が良く、かつ狭部充填性に優れた顆粒状の製品を取り揃えております。

半導体素子をリードフレームや基板に実装する際に用いる接着剤です。半導体ＰＫＧに使用されるためイオン性不純物を低減し、高い信頼性を有した製品です。

主な成分は熱硬化性樹脂と充填材になります。
充填材の種類により導電性ペーストと絶縁性ペーストに分かれます。
導電性の場合は、銀などの金属フィラー、絶縁性の場合は、シリカなどの無機フィラーを使用します。
またチップサイズなどにより各種ラインナップがございますのでお問い合わせください。

オーブンを使用するバッチ方式の場合、150～175℃　15-60分になります。インライン方式の場合、２００℃、３０－６０秒になります。各種ラインナップされておりますのでお問い合わせください。

ニードルを使用するエアディスペンスやラインドロー、スタンピング、印刷などによる塗布に実績がございますのでお問い合わせください。

各社シリンジにて供給可能です。また用途に応じてジャーでの供給も可能です。

塗布安定性のために－15℃～－45℃の冷凍保管になります。

260℃リフロー耐性や高熱伝導性、高密着性、低反り等を兼ね備えた各種品番を取り揃えております。

ディスペンスやスタンピングに対応した高導電性と高密着性を兼ね備えた製品になります。その他パワー系向けに高放熱性を備えた製品にもございます。

ポリマーと感光材と溶剤などで構成されるワニス状の絶縁製品です。

半導体ウェハの上に、スピンコートなどの方法で塗布します。

フォトレジストは、最終的には半導体ウェハから除去されますが、半導体ウェハーコート樹脂は永久膜として半導体素子表面に残ります。

半導体素子の表面を封止材フィラーから物理的に保護したり、外部から侵入した水分や不純物などによる化学的影響から半導体素子を保護し、信頼性の向上に役立ちます。また、層間絶縁膜としての利用も可能です。

ｇ線、ｉ線、ブロードバンド光など、品番により異なります。詳細はお問い合わせください。

一般的なフォトレジストで使用される現像液（ＴＭＡH水溶液）が使用可能です。

320℃、30分です。酸素濃度は10ppm以下を推奨しています。お客様のご要望により、低温硬化のグレードも取り揃えております。

現在はポジ型が主流になっています。

品番に依りますが、硬化後5μmで2μmのパターンが形成できます。

量産時は4リットルもしくは1リットルの強化ポリエチレンボトルで、ご評価用の少量サンプルは100ccの強化ポリエチレンボトルでお届けします。

粘度上昇を抑えるため、-20℃での冷凍保管が必要です。

Lα(CTE) to Z directionの略でZ方向の低CTE化をコンセプトとし、その後顧客要求でX、Y方向も低CTE化した材料となります。

Low αZシリーズは全てハロゲンフリー対応の材料です。

静岡工場と宇都宮工場の２工場での生産となります。