製品紹介
半導体の信頼性を確保するトランスファーモールド成型に対応した半硬化シートです。 |
トランスファー成形を想定した12W級シート推奨成形条件
- 平板プレスでの成形後、オーブンで後硬化(PMC)します。
- 温度/面圧プロファイルとPMC条件の一例を以下に示します。
- 推奨成形条件は一例であり、設定の目安です。また、接着される部材の表面状態や成形機、熱源等による製品内部温度データ、製品サイズなどをもとに加圧タイミングなど変更する必要があります。
一般特性
放熱・絶縁接着シート及び銅箔付き放熱・絶縁接着シート
項目 | 試験方法 | ELS-4211 | |
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熱伝導率 | W/(m·K) | Laser Flash 25℃ | 14 |
絶縁破壊電圧 | kV | AC, 25℃ | 12 |
体積抵抗率 | Ω·cm | DC, 1kV, 1min, 25℃ | 1E+16 |
誘電率 | - | 1MHz | 4.6 |
貯蔵弾性率 | Gpa | DMA(引張) | 16 |
Tg | ℃ | DMA(引張) | 220 |
線膨張係数 α1 | ppm/K | TMA(引張) | 12 |
線膨張係数 α2 | ppm/K | TMA(引張) | 42 |
銅箔ピール強度 | N/mm | 18μm銅箔 | 0.3 |
THB | hr | 85℃/85%RH/DC1kV | 2000以上 |
注記
- 上表のデータは測定値であり、保証値ではありません。